GreenZoner egypt: ibm

<div dir="rtl" style="text-align: right;" trbidi="on"><div class="image-container" style="text-align: center;"><a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/" target="_blank"><img alt="Hybrid Memory Cube receives its final spec, promises 15X the RAM bandwidth" data-src-height="340" data-src-width="620" src="http://www.blogcdn.com/www.engadget.com/media/2013/04/hybrid-memory-cube-2.jpg" /></a> </div><div class="image-container" style="text-align: right;"> </div><div class="image-container" style="text-align: right;">كان مكعب تقريبا الذاكرة الهجين اتحاد المريض جدا في تطوير معيار عن تقنيتها مسمى - بدأت الجهود منذ 17 شهرا - لكنه في نهاية المطاف أكثر من النوايا الحسنة لإظهار لعملها. لمجرد نشره<a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/2013/04/320gb.html" target="_blank"> HMC</a> مواصفات 1،0 يتيح بناء منصات الشركات و<a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/2013/04/320gb.html" target="_blank">RAM</a> 2GB مع رقائق، 4GB و 8GB دمج مكدسة، وتوفير الطاقة والتكنولوجيا، وجميع من دون التوافق التوتر من أنصار الأخرى. المواصفات الانتهاء هو المادة الحارقة عند الارتقاء إلى كامل إمكاناتها، أيضا. مع ثمانية وصلات، ويمكن الوصول إلى الذاكرة مكعب ذروة<a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/2013/04/320gb.html" target="_blank"> 320GB / s</a> (نعم، وهذا غيغا بايت) من عرض النطاق الترددي الكلي - أكثر من الشعر أسرع من الحصول على 11GB / s في كثير من الأحيان نحن من الذاكرة <a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/2013/04/320gb.html" target="_blank">DDR3</a> القائمة. اتحاد وإغاظة لنا أكثر من ذلك. على الرغم من أننا سوف تضطر إلى الانتظار حتى النصف الثاني من العام قبل مؤسسة حمد الطبية منتجات 1،0 تظهر بشكل جدي، واتحاد لديها بالفعل مخطط الجيل المقبل من المقرر في عام 2014 في وقت مبكر أن يتضاعف بسرعة وصلة البيانات الفردية<a href="http://greenzoneregypt.blogspot.com/2013/04/320gb.html" target="_blank"> (من 15Gbps</a><a href="http://www.blogger.com/blogger.g?blogID=7080182682816192337"> </a><a href="http://www.blogger.com/blogger.g?blogID=7080182682816192337">ل</a><a href="http://www.blogger.com/blogger.g?blogID=7080182682816192337">28Gbps</a><a href="http://www.blogger.com/blogger.g?blogID=7080182682816192337">)</a>. في حين أننا نود أن نرى مجموعة المشي سيرا على الأقدام مع منتجات حقيقية قبل أن يتحدث أكثر الحديث، لا يزال هناك فرصة أن بعض الاختناقات أداء الذاكرة يمكن أن تختفي لفترة من الوقت، وحسن الطويل.</div><div style="text-align: right;"> </div></div>

مكعب الذاكرة الهجين يتلقى المواصفات النهائية لها، وسرعة تصل الي 320GB في الثانية

كان مكعب تقريبا الذاكرة الهجين اتحاد المريض جدا في تطوير معيار عن تقنيتها مسمى - بدأت الجهود منذ 17 شهرا - لكنه في نهاية...

مزيد من المعلومات »

<div dir="rtl" style="text-align: right;" trbidi="on"><div class="image-container" dir="ltr" style="text-align: center;"> <img alt="IBM technique turns metal oxides into nonvolatile memory through liquids" data-src-height="340" data-src-width="620" src="http://www.blogcdn.com/www.engadget.com/media/2013/03/ibm-metal-oxide-ionized-liquid.jpg" /></div><div dir="ltr" style="text-align: left;"> IBM is worried that we're reaching the end of the road for CMOS technology -- that we need new materials beyond silicon to keep the power draw down in chips as their performance goes up. It may keep future circuitry extra-lean through a new technique that puts a metal oxide in silicon's place and allows for non-volatile processors and memory. By running ionized liquid electrolytes in currents through the oxide, the company can switch that oxide from an insulator to a conductor (and vice versa) that can reliably maintain its state, even when there's no power. The trick would let a logic gate or switch kick into action only when there's an event, rather than needing constant jolts of electricity -- and without the pressure or temperature changes that had ruled out metal oxides for chips in the past. We're still far from replacing silicon with more efficient oxides given the early state of IBM's work, but having a consistent method is an important first step.</div></div>

IBM turns metal oxides into non-volatile chips through liquid currents

IBM is worried that we're reaching the end of the road for CMOS technology -- that we need new materials beyond silicon to keep the ...

مزيد من المعلومات »

GreenZoner egypt

مكعب الذاكرة الهجين يتلقى المواصفات النهائية لها، وسرعة تصل الي 320GB في الثانية

IBM turns metal oxides into non-volatile chips through liquid currents

الأكثر زيارة

الأرشيف